針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本實(shí)用新型的目的在于提供一種智能電容器的控制電路,具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、成本低等特點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案:
一種智能電容器的控制電路,包括電流檢測(cè)電路、電壓檢測(cè)電路、電壓過零檢測(cè)電路、電流過零檢測(cè)電路、繼電器投切電路、MCU控制電路;所述繼電器投切電路包括磁保持繼電器、第一NPN三極管、第二NPN三極管、第一電阻以及第二電阻;其中,所述磁保持繼電器的線圈上設(shè)置有抽頭,所述抽頭耦接至12V直流電壓;所述第一NPN三極管的集電極耦接至磁保持繼電器的線圈的高端,發(fā)射極接地,基極與第一電阻串聯(lián);所述第二NPN三極管的集電極耦接至磁保持繼電器的線圈的低端,發(fā)射極接地,基極與第二電阻串聯(lián)。
通過以上技術(shù)方案:MCU控制電路向第一NPN三極管的基極發(fā)出高電平驅(qū)動(dòng)信號(hào),使第一NPN三極管導(dǎo)通,進(jìn)而磁保持繼電器的線圈的高端接地,此時(shí)12V直流電壓從磁保持繼電器的線圈的高端流出,磁保持繼電器作出吸合動(dòng)作;反之,當(dāng)MCU控制電路向第二NPN三極管的基極發(fā)出高電平驅(qū)動(dòng)信號(hào),使第二NPN三極管導(dǎo)通,進(jìn)而磁保持繼電器的線圈的低端接地,此時(shí)12V直流電壓從磁保持繼電器的線圈的低端流出,由線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)反轉(zhuǎn),磁保持繼電器作出斷開動(dòng)作。
優(yōu)選地,還包括繼電器檢測(cè)電路,所述繼電器檢測(cè)電路包括光耦合器,所述光耦合器的1腳耦接于磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)的一端,2腳耦接于磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)的另一端,3腳接地,4腳耦接通過第三電阻耦接于VCC電壓、通過第四電阻耦接于MCU控制電路。
通過以上技術(shù)方案:當(dāng)磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)吸合時(shí),光耦合器的1、2腳導(dǎo)通,使得3、4腳也導(dǎo)通,進(jìn)而4腳輸出低電平信號(hào)至MCU控制電路;反之,當(dāng)磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)斷開時(shí),光耦合器的4腳輸出高電平信號(hào)至MCU控制電路;如此,MCU控制電路即可通過判斷光耦合器的4腳的電平高低,來判斷磁保持繼電器是否正常工作。
優(yōu)選地,所述光耦合器的1腳與磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)串聯(lián)有若干限流電阻。
通過以上技術(shù)方案:通過設(shè)置若干限流電阻對(duì)光耦合器進(jìn)行保護(hù)。
優(yōu)選地,所述光耦合器的2腳與磁保持繼電器的觸點(diǎn)開關(guān)串聯(lián)有若干限流電阻。
通過以上技術(shù)方案:通過設(shè)置若干限流電阻對(duì)光耦合器進(jìn)行保護(hù)。
優(yōu)選地,還包括RS485通訊接口電路,所述RS485通訊接口電路與MCU控制電路耦接。
通過以上技術(shù)方案:MCU控制電路可與上位機(jī)進(jìn)行通訊,以能夠向上位機(jī)傳輸電網(wǎng)的狀態(tài)參數(shù)信息,例如電壓、電流、功率因數(shù)等。
優(yōu)選地,所述RS485通訊接口電路的輸入端耦接有ESD保護(hù)二極管。
通過以上技術(shù)方案:能夠防止產(chǎn)生的靜電對(duì)RS485接口電路的信號(hào)傳輸造成影響。